In questo lavoro viene presentata una nuova cella SRAM single ended a 5T e 6T. Questo transistor una cella ad alta densit o occupa un'area inferiore rispetto alle celle SRAM convenzionali a 6T. La corrente di dispersione di questa cella molto bassa rispetto alle altre celle 5T o 6T convenzionali. Per questa cella necessario un circuito di precarica come per le celle SRAM convenzionali a 6T. Questa cella anche efficiente dal punto di vista...