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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit [German]
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In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fl che ein als eine herk mmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herk mmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. F r diese Zelle ist wie bei einer herk mmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse...
Format:Paperback
Language:German
ISBN:6208331986
ISBN13:9786208331986
Release Date:November 2024
Publisher:Verlag Unser Wissen
Length:88 Pages
Weight:0.31 lbs.
Dimensions:0.2" x 6.0" x 9.0"
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